Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen chinesischen Konkurrenten
Roger Adolph
Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen chinesischen Konkurrenten
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Die Streitfälle betrafen Galliumnitrid-Technologie (GaN) sowie die unberechtigte Nutzung von Infineon-Patenten durch das chinesische Unternehmen Innoscience. Das Gericht verurteilte Innoscience zudem zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon.
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Das Urteil stellt die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Verfahren im Zusammenhang mit dem geistigen Eigentum von Infineon an GaN-Technologie dar. Das Gericht untersagte Innoscience die Herstellung, den Verkauf oder die Vermarktung von patentverletzenden GaN-Produkten in Deutschland.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, erklärte, die Entscheidung unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon. Er betonte das Engagement des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu schützen und für faire Wettbewerbsbedingungen zu sorgen. Infineon verfügt über das branchenweit umfassendste GaN-Patentportfolio mit rund 450 Patentfamilien.
GaN-Technologie ist entscheidend für die Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromsysteme in verschiedenen Anwendungsbereichen. Infineon setzt weiterhin auf Innovation und die Weiterentwicklung von Halbleitertechnologien, um globale Herausforderungen wie die Dekarbonisierung und die digitale Transformation zu bewältigen.
